Pracujeme na obnove aplikácie Unionpedia v Google Play Store
🌟Zjednodušili sme náš dizajn pre lepšiu navigáciu!
Instagram Facebook X LinkedIn

Plátok (polovodič) a Silicon on insulator

Skratky: Rozdiely, Podobnosti, Jaccard Podobnosť koeficient, Referencie.

Rozdiel medzi Plátok (polovodič) a Silicon on insulator

Plátok (polovodič) vs. Silicon on insulator

Vyleptaný kremíkový plátok kryštalografickú orientáciu. Červenou je označený odstránený materiál. Plátok11 Technológie výroby polovodičov (iné názvy: rezNemecko-slovenský technický slovník 2. diel M-Z. Bratislava: Alfa, 1993, S. 763, polovodičový plátokNemecko-slovenský technický slovník 1. diel A-L. Bratislava: Alfa, 1993, S. 398, polovodičový rez, wafer, substrátový disk) je základný disk z polovodiča používaný ako substrát, na ktorom sa vytvárajú mikroobvody. Silicon on insulator (SOI) je vrstvová štruktúra pozostávajúca z tenkej vrstvy kremíka, od 50 nm do 100 μm, ktorá je vytvorená na izolovanom substráte, ktorý je zvyčajne zafír alebo kremík s izolovanou vrstvou oxidu kremíka (SiO2) 80 nm hrubou na jeho povrchu.

Podobnosti medzi Plátok (polovodič) a Silicon on insulator

Plátok (polovodič) a Silicon on insulator majú 1 vec spoločnú (v Úniapédia): Integrovaný obvod.

Integrovaný obvod

Malé integrované obvody v puzdre DIP Integrovaný obvod integrovaný obvod.

Integrovaný obvod a Plátok (polovodič) · Integrovaný obvod a Silicon on insulator · Pozrieť viac »

Vyššie uvedený zoznam poskytuje odpovede na nasledujúce otázky

Porovnanie medzi Plátok (polovodič) a Silicon on insulator

Plátok (polovodič) má 12 vzťahom, pričom Silicon on insulator má 16. Ako oni majú spoločného 1, index Jaccard je 3.57% = 1 / (12 + 16).

Referencie

Tento článok ukazuje vzťah medzi Plátok (polovodič) a Silicon on insulator. Pre prístup každý článok, z ktorého bol extrahované informácie nájdete na adrese: