Komunikácia

6 vzťahy: DRAM, Hodinový signál, Pamäť s priamym prístupom, Preklápací obvod, Rýchla vyrovnávacia pamäť, Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou.

DRAM

Principiálna schéma pamäťovej bunky DRAM. Poľom riadený tranzistor, ovládaný adresovým signálom, uzatvára obvod s pamäťovým kondenzátorom – pre čítanie, zápis alebo periodické obnovenie uloženej hodnoty. Principiálna schéma DRAM pamäte s organizáciou 4×4 bity. V 4 riadkoch sú adresovateľné slová šírky 4 bity. DRAM (z) je typ pamäte s priamym prístupom, ktorá uchováva údaje v podobe elektrických nábojov na poli pamäťových kondenzátorov.

Nový!!: SRAM a DRAM · Pozrieť viac »

Hodinový signál

Hodinový signál alebo hodinový impulz (slangovo hodiny, angl. clock, skr. CLK) je (obvykle digitálny) elektrický signál, ktorého zmena spôsobuje zmenu stavu sekvenčného digitálneho elektronického obvodu.

Nový!!: SRAM a Hodinový signál · Pozrieť viac »

Pamäť s priamym prístupom

Rôzne typy pamäte RAM Pamäť s priamym prístupom alebo RAM je pamäť s voľným (náhodným, ľubovoľným) prístupom.

Nový!!: SRAM a Pamäť s priamym prístupom · Pozrieť viac »

Preklápací obvod

Preklápací obvod (alebo bežnejšie, hoci nespisovne klopný obvod, skr. KO) je elektronický obvod s niekoľkými stabilnými alebo nestabilnými stavmi, medzi ktorými sa dokáže (na základe zmeny elektrickej veličiny na niektorom vstupe alebo vnútornej spätnej väzby) prepínať – preklápať.

Nový!!: SRAM a Preklápací obvod · Pozrieť viac »

Rýchla vyrovnávacia pamäť

Rýchla vyrovnávacia pamäť je malá, ale rýchla vyrovnávacia pamäť, ktorá slúži na prechodné ukladanie dát alebo sekvencií programu.

Nový!!: SRAM a Rýchla vyrovnávacia pamäť · Pozrieť viac »

Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou

Schéma NMOS tranzistora Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou (iné názvy: poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou, poľom riadený tranzistor s oxidom izolovaným hradlom, tranzistor MOSFET, skr. MOSFET alebo MOS-FET alebo MOS FET z angl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) je druh tranzistora riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou kovu je oddelené od polovodiča dielektrickou vrstvou oxidu daného polovodiča.

Nový!!: SRAM a Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou · Pozrieť viac »

Úniapédia je koncepčné mapy alebo sémantickej siete, organizované ako encyklopédia - Slovník. Dáva stručnú definíciu každého konceptu a jej vzťahov.

To je veľká internetová mentálna mapa, ktorá slúži ako základ pre koncepčných diagramov. Je to zadarmo na použitie a každý článok alebo dokument možno stiahnuť. Je to nástroj, zdroj alebo odkaz na štúdium, výskum, vzdelávanie, učenie alebo učenie, ktoré môžu byť použité podľa učiteľa, pedagógov, žiakov alebo študentov; pre akademický svet: pre školské, základným, stredným, vysoké školy, stredné, technický stupeň, vysoké školy, univerzity, vysokoškolák, magisterských a doktorandských titulov; for Papers, správy, projekty, nápady, dokumentácia, prieskumy, súhrny, alebo práce. Tu je definícia, vysvetlenie, popis, alebo význam každá významná, na ktorom by ste potrebovali nejakú informáciu, a zoznam ich pridružené pojmy ako slovníčku. K dispozícii v Slovenský, Angličtina, Španielsky, Portugalčina, Japonský, Čínsky, Francúzsky, Nemec, Talian, Polsky, Dutch, Rusky, Arabčina, Hindčina, Švédska, Ukrajinská, Maďarský, Katalánsky, Český, Hebrejčina, Dánsky, Fínsky, Indonézsky, Norwegian, Rumunský, Turkish, Vietnamci, Korean, Thai, Greek, Bulharská, Chorvátsky, Lithuanian, Filipínsky, Latvian, Estónsky a Slovinsky Ďalšie jazyky čoskoro.

Všetky informácie sa extrahuje z Wikipédia, a je k dispozícii pod licenciou Creative Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported.

Úniapédia nie je podporovaná ani pridružená k nadácii Wikimedia Foundation.

Google Play, Android a logo Google Play sú ochrannými známkami spoločnosti Google Inc.

Zásady ochrany osobných údajov

VychádzajúcePrichádzajúce