Logo
Úniapédia
Komunikácia
Teraz na Google Play
Nový! Na stiahnutie Úniapédia na Android ™!
Zadarmo
Rýchlejšie ako prehliadači!
 

Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou

Index Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou

Schéma NMOS tranzistora Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou (iné názvy: poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou, poľom riadený tranzistor s oxidom izolovaným hradlom, tranzistor MOSFET, skr. MOSFET alebo MOS-FET alebo MOS FET z angl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) je druh tranzistora riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou kovu je oddelené od polovodiča dielektrickou vrstvou oxidu daného polovodiča.

26 vzťahy: APS (snímač), Arzenid galitý, Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom, Complementary Metal Oxide Semiconductor, Diferenciálny zosilňovač, DRAM, Elektronický jazyk, Flash pamäť, Fotolitografia, Intel 8080, Intel 8086, Intel 8752, Kremík, Mikroprocesor, Moorov zákon, MOS, Napäťový násobič, Operačný zosilňovač, Otvorený kolektor, Pamäť s priamym prístupom, Snímač obrazu, SRAM, Teslov transformátor, Tranzistor (polovodičová súčiastka), Tranzistor riadený poľom, Unipolárna pamäť.

APS (snímač)

APS (aktívny pixelový senzor) je obrazový snímač, ktorý je založený na integrácii fotosenzorov a aktívnych zosilňovačov pre každý obrazový bod – pixel.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a APS (snímač) · Pozrieť viac »

Arzenid galitý

Arzenid galitý (GaAs) je chemická zlúčenina arzénu s gáliom.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Arzenid galitý · Pozrieť viac »

Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom

Výkonový IGBT (3300 V/1200 A) Náhradná schéma IGBT Rez typickým IGBT so zakresleným prepojením MOSFET a bipolárneho tranzistoru. Reálne IGBT obsahujú viacero takýchto buniek zapojených paralelne pre zvýšenie maximálneho prúdu. Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (skrátene IGBT) je druh tranzistorov pre veľmi vysoké spínané výkony (rádovo niekoľko desiatok kW) a frekvenciu spínania do 20kHz.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom · Pozrieť viac »

Complementary Metal Oxide Semiconductor

Statický CMOS invertor NAND brána v CMOS logike Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) je technológia výroby logických integrovaných obvodov (čipov).

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Complementary Metal Oxide Semiconductor · Pozrieť viac »

Diferenciálny zosilňovač

Diferenciálny zosilňovač je zosilňovač, ktorého výstupné napätie je funkciou rozdielu napätí na jeho dvoch vstupoch.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Diferenciálny zosilňovač · Pozrieť viac »

DRAM

Principiálna schéma pamäťovej bunky DRAM. Poľom riadený tranzistor, ovládaný adresovým signálom, uzatvára obvod s pamäťovým kondenzátorom – pre čítanie, zápis alebo periodické obnovenie uloženej hodnoty. Principiálna schéma DRAM pamäte s organizáciou 4×4 bity. V 4 riadkoch sú adresovateľné slová šírky 4 bity. DRAM (z) je typ pamäte s priamym prístupom, ktorá uchováva údaje v podobe elektrických nábojov na poli pamäťových kondenzátorov.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a DRAM · Pozrieť viac »

Elektronický jazyk

Elektronický jazyk je nástroj, ktorý meria a porovnáva chute.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Elektronický jazyk · Pozrieť viac »

Flash pamäť

Proces mazania FLASH bunky Proces programovania FLASH bunky Flash pamäť, celým menom Flash-EEPROM, je zrýchlená EEPROM.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Flash pamäť · Pozrieť viac »

Fotolitografia

Fotolitografia (alebo „optická litografia“) je proces, ktorý sa využíva v mikroelektrotechnológiách na výrobu polovodičových súčiastok.Využíva svetlo na prenos geometrického vzoru z fotomasky na svetlo citlivý tzv.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Fotolitografia · Pozrieť viac »

Intel 8080

Architektúra mikroprocesora (po anglicky) Dobová reklama spoločnosti Intel v časopise ''Electronics'' z mája 1974 Tesla MHB8080A v plastovom puzdre Tesla MHB8080AC v keramickom puzdre Sovietsky klon 580ВМ80 v keramickom puzdre Intel 8080 je 8-bitový mikroprocesor firmy Intel, uvedený na trh v apríli 1974, čiastočne spätne kompatibilný s mikroprocesorom Intel 8008.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Intel 8080 · Pozrieť viac »

Intel 8086

Intel 8086 Intel 8086 je 16-bitový procesor od firmy Intel architektúry x86.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Intel 8086 · Pozrieť viac »

Intel 8752

Intel 8752 je jednočipový mikropočítač spoločnosti Intel, patriaci do rodiny MCS-51.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Intel 8752 · Pozrieť viac »

Kremík

Kremík (lat. silicium zo slov silex alebo silicis, synonymá pre kremeň) je chemický prvok v Periodickej tabuľke prvkov, ktorý má značku Si a protónové číslo 14.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Kremík · Pozrieť viac »

Mikroprocesor

Intel 4004, prvý komerčne dostupný mikroprocesor na všeobecné použitie Horné prepojené vrstvy jadra Intel 80486DX2 Mikroprocesor Sharp PC-1403 Mikroprocesor (skrátene µP či uP) je druh procesora, ktorý je ako celok integrovaný do jediného integrovaného obvodu.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Mikroprocesor · Pozrieť viac »

Moorov zákon

mikroprocesoroch v závislosti od dátumu ich uvedenia na trh. Trendová smernica (priamka, ktorá na obrázku nie je znázornená) potvrdzuje Moorov zákon - zdvojnásobenie počtu tranzistorov každé dva roky. Os y je logaritmická, takže ide o exponenciálny rast. Moorov zákon je empirické pravidlo, že zložitosť integrovaných obvodov (počet tranzistorov integrovaných na nich) sa zdvojnásobuje približne každé dva roky.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Moorov zákon · Pozrieť viac »

MOS

MOS môže byť skratka pre.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a MOS · Pozrieť viac »

Napäťový násobič

Príklad násobiča napätia. Elektrický oblúk v iskrišti, kaskádový generátor vľavo. Deutsches Museum, Mníchov, oddelenie vysokého napätia. Napäťový násobič je menič napätia, ktorý vstupné striedavé napätie mení na výstupné jednosmerné napätie, ale násobne zväčšené.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Napäťový násobič · Pozrieť viac »

Operačný zosilňovač

Operačný zosilňovač (hovorovo aj operák) je jednoduchý analógový integrovaný obvod so skoro nekonečným prúdovým a napäťovým zosilnením.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Operačný zosilňovač · Pozrieť viac »

Otvorený kolektor

Otvorený kolektor Otvorený kolektor alebo výstup s otvoreným kolektorom (angl. open collector, skr. OC) je druh výstupu digitálnych elektronických obvodov, kde výstupný obvod pozostáva len z jedného tranzistora, obvykle NPN alebo NMOS, spínajúceho v čase, keď je výstupom logického obvodu nulové napätie, výstup k zemi (zápornému pólu napájacieho napätia).

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Otvorený kolektor · Pozrieť viac »

Pamäť s priamym prístupom

Rôzne typy pamäte RAM Pamäť s priamym prístupom alebo RAM je pamäť s voľným (náhodným, ľubovoľným) prístupom.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Pamäť s priamym prístupom · Pozrieť viac »

Snímač obrazu

Snímač obrazu (iné názvy: obrazový snímač, obrazový senzor, obrazový čip, snímací čip) je zariadenie, ktoré sa skladá zo sústavy jednoduchých fotosenzorov (fotodióda, fotorezistor či fototranzistor) a prevádza komplexnejšiu obrazovú informáciu na elektrický signál.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Snímač obrazu · Pozrieť viac »

SRAM

SRAM (Static Random Access Memory) je RAM, ktorá uchováva údaje v registroch pozostávajúcich z preklápacích (klopných) obvodov, elektrické napájanie pre uchovanie údajov musí byť trvalé, na rozdiel od DRAM však nepotrebujú obnovovanie (refresh).

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a SRAM · Pozrieť viac »

Teslov transformátor

Nikolu Teslu v jeho laboratóriu v Colorado Springs približne z roku 1899, zdanlivo sediaceho vedľa pracujúceho vysokonapäťového generátora s Teslovým transformátorom (vľavo). Fotografia bola realizovaná ako dvojexpozícia pri vypnutom a zapnutom stave. Teslov transformátor je vysokonapäťový rezonančný transformátor so vzduchovým jadrom, ktorý sa využíva na vytváranie vysokofrekvenčného vysokého napätia s nízkym prúdom.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Teslov transformátor · Pozrieť viac »

Tranzistor (polovodičová súčiastka)

Rôzne typy tranzistorov v prevedení pre klasickú vývodovú montáž. Najväčší (BU 208) má rozmery puzdra približne 4 × 2,5 cm. Vnútorné usporiadanie Tranzistor alebo zriedkavo polovodičová trióda je trojvrstvová polovodičová súčiastka, používaná ako zosilňovač, spínač, stabilizátor a modulátor elektrického napätia alebo prúdu.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Tranzistor (polovodičová súčiastka) · Pozrieť viac »

Tranzistor riadený poľom

Tranzistor riadený poľom (iné názvy: poľom riadený tranzistor, unipolárny tranzistor, tranzistor ovládaný elektrickým poľom, tranzistor FET, FET-tranzistor, skr. FET z angl. field-effect transistor) je tranzistor využívajúci efekt poľa na zosilňovanie elektrických signálov.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Tranzistor riadený poľom · Pozrieť viac »

Unipolárna pamäť

Unipolárna pamäť alebo MOS pamäť je druh pamäti založenej na technológii MOSFET.

Nový!!: Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Unipolárna pamäť · Pozrieť viac »

Presmerovanie tu:

MOS (polovodiče), MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, NMOS, PMOS, Poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou.

VychádzajúcePrichádzajúce
Hej! Sme na Facebooku teraz! »