Obsah
26 vzťahy: APS (snímač), Arzenid galitý, Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom, Complementary Metal Oxide Semiconductor, Diferenciálny zosilňovač, DRAM, Elektronický jazyk, Flash pamäť, Fotolitografia, Intel 8080, Intel 8086, Intel 8752, Kremík, Mikroprocesor, Moorov zákon, MOS, Napäťový násobič, Operačný zosilňovač, Otvorený kolektor, Pamäť s priamym prístupom, Snímač obrazu, SRAM, Teslov transformátor, Tranzistor (polovodičová súčiastka), Tranzistor riadený poľom, Unipolárna pamäť.
APS (snímač)
APS (aktívny pixelový senzor) je obrazový snímač, ktorý je založený na integrácii fotosenzorov a aktívnych zosilňovačov pre každý obrazový bod – pixel.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a APS (snímač)
Arzenid galitý
Arzenid galitý (GaAs) je chemická zlúčenina arzénu s gáliom.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Arzenid galitý
Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
Výkonový IGBT (3300 V/1200 A) Náhradná schéma IGBT Rez typickým IGBT so zakresleným prepojením MOSFET a bipolárneho tranzistoru. Reálne IGBT obsahujú viacero takýchto buniek zapojených paralelne pre zvýšenie maximálneho prúdu.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
Complementary Metal Oxide Semiconductor
Statický CMOS invertor NAND brána v CMOS logike Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) je technológia výroby logických integrovaných obvodov (čipov).
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Complementary Metal Oxide Semiconductor
Diferenciálny zosilňovač
Diferenciálny zosilňovač je zosilňovač, ktorého výstupné napätie je funkciou rozdielu napätí na jeho dvoch vstupoch.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Diferenciálny zosilňovač
DRAM
Principiálna schéma pamäťovej bunky DRAM. Poľom riadený tranzistor, ovládaný adresovým signálom, uzatvára obvod s pamäťovým kondenzátorom – pre čítanie, zápis alebo periodické obnovenie uloženej hodnoty.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a DRAM
Elektronický jazyk
Elektronický jazyk je nástroj, ktorý meria a porovnáva chute.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Elektronický jazyk
Flash pamäť
Proces mazania FLASH bunky Proces programovania FLASH bunky Flash pamäť, celým menom Flash-EEPROM, je zrýchlená EEPROM.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Flash pamäť
Fotolitografia
Fotolitografia (alebo „optická litografia“) je proces, ktorý sa využíva v mikroelektrotechnológiách na výrobu polovodičových súčiastok.Využíva svetlo na prenos geometrického vzoru z fotomasky na svetlo citlivý tzv.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Fotolitografia
Intel 8080
Architektúra mikroprocesora (po anglicky) Dobová reklama spoločnosti Intel v časopise ''Electronics'' z mája 1974 Tesla MHB8080A v plastovom puzdre Tesla MHB8080AC v keramickom puzdre Sovietsky klon 580ВМ80 v keramickom puzdre Intel 8080 je 8-bitový mikroprocesor firmy Intel, uvedený na trh v apríli 1974, čiastočne spätne kompatibilný s mikroprocesorom Intel 8008.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Intel 8080
Intel 8086
Intel 8086 Intel 8086 je 16-bitový procesor od firmy Intel architektúry x86.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Intel 8086
Intel 8752
Intel 8752 je jednočipový mikropočítač spoločnosti Intel, patriaci do rodiny MCS-51.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Intel 8752
Kremík
Kremík (lat. silicium zo slov silex alebo silicis, synonymá pre kremeň) je chemický prvok v Periodickej tabuľke prvkov, ktorý má značku Si a protónové číslo 14.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Kremík
Mikroprocesor
Intel 4004, prvý komerčne dostupný mikroprocesor na všeobecné použitie Horné prepojené vrstvy jadra Intel 80486DX2 Mikroprocesor Sharp PC-1403 Mikroprocesor (skrátene µP či uP) je druh procesora, ktorý je ako celok integrovaný do jediného integrovaného obvodu.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Mikroprocesor
Moorov zákon
mikroprocesoroch v závislosti od dátumu ich uvedenia na trh. Trendová smernica (priamka, ktorá na obrázku nie je znázornená) potvrdzuje Moorov zákon - zdvojnásobenie počtu tranzistorov každé dva roky. Os y je logaritmická, takže ide o exponenciálny rast.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Moorov zákon
MOS
MOS môže byť skratka pre.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a MOS
Napäťový násobič
Príklad násobiča napätia. Elektrický oblúk v iskrišti, kaskádový generátor vľavo. Deutsches Museum, Mníchov, oddelenie vysokého napätia. Napäťový násobič je menič napätia, ktorý vstupné striedavé napätie mení na výstupné jednosmerné napätie, ale násobne zväčšené.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Napäťový násobič
Operačný zosilňovač
Operačný zosilňovač (hovorovo aj operák) je jednoduchý analógový integrovaný obvod so skoro nekonečným prúdovým a napäťovým zosilnením.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Operačný zosilňovač
Otvorený kolektor
Otvorený kolektor Otvorený kolektor alebo výstup s otvoreným kolektorom (angl. open collector, skr. OC) je druh výstupu digitálnych elektronických obvodov, kde výstupný obvod pozostáva len z jedného tranzistora, obvykle NPN alebo NMOS, spínajúceho v čase, keď je výstupom logického obvodu nulové napätie, výstup k zemi (zápornému pólu napájacieho napätia).
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Otvorený kolektor
Pamäť s priamym prístupom
Rôzne typy pamäte RAM Pamäť s priamym prístupom alebo RAM je pamäť s voľným (náhodným, ľubovoľným) prístupom.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Pamäť s priamym prístupom
Snímač obrazu
Snímač obrazu (iné názvy: obrazový snímač, obrazový senzor, obrazový čip, snímací čip) je zariadenie, ktoré sa skladá zo sústavy jednoduchých fotosenzorov (fotodióda, fotorezistor či fototranzistor) a prevádza komplexnejšiu obrazovú informáciu na elektrický signál.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Snímač obrazu
SRAM
SRAM (Static Random Access Memory) je RAM, ktorá uchováva údaje v registroch pozostávajúcich z preklápacích (klopných) obvodov, elektrické napájanie pre uchovanie údajov musí byť trvalé, na rozdiel od DRAM však nepotrebujú obnovovanie (refresh).
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a SRAM
Teslov transformátor
Nikolu Teslu v jeho laboratóriu v Colorado Springs približne z roku 1899, zdanlivo sediaceho vedľa pracujúceho vysokonapäťového generátora s Teslovým transformátorom (vľavo). Fotografia bola realizovaná ako dvojexpozícia pri vypnutom a zapnutom stave.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Teslov transformátor
Tranzistor (polovodičová súčiastka)
Rôzne typy tranzistorov v prevedení pre klasickú vývodovú montáž. Najväčší (BU 208) má rozmery puzdra približne 4 × 2,5 cm. Vnútorné usporiadanie Tranzistor alebo zriedkavo polovodičová trióda je trojvrstvová polovodičová súčiastka, používaná ako zosilňovač, spínač, stabilizátor a modulátor elektrického napätia alebo prúdu.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Tranzistor (polovodičová súčiastka)
Tranzistor riadený poľom
Tranzistor riadený poľom (iné názvy: poľom riadený tranzistor, unipolárny tranzistor, tranzistor ovládaný elektrickým poľom, tranzistor FET, FET-tranzistor, skr. FET z angl. field-effect transistor) je tranzistor využívajúci efekt poľa na zosilňovanie elektrických signálov.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Tranzistor riadený poľom
Unipolárna pamäť
Unipolárna pamäť alebo MOS pamäť je druh pamäti založenej na technológii MOSFET.
Pozrieť Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou a Unipolárna pamäť
Známy ako MOS (polovodiče), MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, NMOS, PMOS, Poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou.